发明名称 |
一种半导体器件 |
摘要 |
提供一种小型化的半导体器件,其具有封装衬底;半导体芯片,安装在封装衬底的主表面上,并具有均用于放大信号的多个LNA、用于转换从LNA供给的每个信号频率的RF VCO、和用于转换从基带供给的信号频率的IF VCO;以及多个球电极,设置在封装衬底的背表面上。封装衬底设置有用于向每一个LAN供给GND电位的第一公共GND导线、用于向RF VCO供给GND电位的第二公共GND导线、和用于向IF VCO供给GND电位的第三公共GND导线。第一、第二和第三公共GND导线彼此分开。 |
申请公布号 |
CN1705123B |
申请公布日期 |
2010.05.05 |
申请号 |
CN200510073463.1 |
申请日期 |
2005.05.30 |
申请人 |
株式会社瑞萨科技 |
发明人 |
团野忠敏;长峰彻;森博志;市之濑吏 |
分类号 |
H01L25/04(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:布线衬底,具有主表面和与所述主表面相对的背表面;半导体芯片,安装在所述布线衬底的所述主表面上方,电连接到所述布线衬底,并具有用于放大输入信号的第一电路部分和用于转换从所述第一电路部分供给的所述信号的频率的第二电路部分;以及多个外部端子,设置在所述布线衬底的所述背表面上方,其中,第一公共导体部分和第二公共导体部分设置在所述布线衬底上方,其中所述第一公共导体部分电连接到所述第一电路部分以向所述第一电路部分供给GND电位,所述第二公共导体部分电连接到所述第二电路部分以向所述第二电路部分供给GND电位,并且所述第一和第二公共导体部分彼此分开。 |
地址 |
日本东京都 |