| 发明名称 | 由四氯化硅制取三氯氢硅的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种由四氯化硅制取三氯氢硅的方法，属于多晶硅生产领域。本发明所解决的技术问题是提供了一种转化率较高的由四氯化硅制取三氯氢硅的方法。本发明由四氯化硅制取三氯氢硅的方法为：在压力为0.3～0.6Mpa的氢化炉内通入摩尔比为0.15～0.4∶1的四氯化硅和氢气进行反应。本发明方法提高了四氯化硅的转化率(转化率提升至32％左右)和在相同时间内的转化量，解决了多晶硅生产过程中大量的副产物四氯化硅的囤积和环境保护问题，具有较好的经济效益，为本领域四氯化硅的处理方法提供了新的选择，具有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101700886A | 申请公布日期 | 2010.05.05 |
| 申请号 | CN200910310631.2 | 申请日期 | 2009.11.30 |
| 申请人 | 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 | 发明人 | 唐前正;何劲;赵新征;卢涛;彭卡;李品贤 |
| 分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人 | 武森涛 |
| 主权项 | 由四氯化硅制取三氯氢硅的方法，其特征在于：在压力为0.3～0.6Mpa的氢化炉内通入摩尔比为0.15～0.4∶1的四氯化硅和氢气进行反应。 | ||
| 地址 | 614000 四川省乐山市高新技术开发区乐高大道6号 | ||