半导体制造之植入方法

摘要

一种利用实作非晶化离子植入，以将一第一传导形式的掺杂物植入该半导体本体中所形成的半导体装置。该第一离子植入在该半导体本体一深度处造成缺陷区域(例如，后布植区缺陷)。一种无-非晶化植入将相同传导形式的掺杂物植入该半导体本体中。该离子植入则遍布该缺陷区域植入掺杂物。透过加热该半导体少于10毫秒的时间，例如使用快闪退火或雷射退火，以活化该掺杂物。

主权项

一种形成半导体装置的方法，该方法包括：提供一半导体本体；实作一非晶化离子植入，以将一第一传导形式的掺杂物植入该半导体本体中，该非晶化离子植入在该半导体本体一深度处造成一缺陷区域；实作一无-非晶化植入，以将该第一传导形式的掺杂物植入该半导体本体中，该无-非晶化离子植入将掺杂物遍布该缺陷区域植入；以及加热该半导体少于10毫秒的时间，以活化该掺杂物。