Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
摘要
<p>Ein Halbleiterbauelement weist einen Halbleiterkörper mit mindestens einem Schutzgraben in dem Halbleiterkörper auf. Zumindest am Boden des Schutzgrabens befindet sich eine Isolationsschicht. Auf der Isolationsschicht ist in dem Schutzgraben eine elektrisch leitfähige Schicht mit einer Dicke D ausgebildet, wobei die elektrisch leitfähige Schicht den Schutzgraben nur teilweise verfüllt.</p>
申请公布号
DE102008058974(A1)
申请公布日期
2010.04.29
申请号
DE20081058974
申请日期
2008.11.25
申请人
INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人
BACHER, ERWIN;BEHRENDT, ANDREAS;ORTNER, JOERG;RIEGER, WALTER;ZELSACHER, RUDOLF;ZUNDEL, MARKUS
