半导体器件及其制造方法

摘要

通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上，再次进行热氧化，通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛，采用含氧的氧化气氛，和含有卤素的氧化气氛等。

主权项

半导体器件的制造方法，其特征是具有下列工序，在非晶硅膜中按要求掺入选用Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Au中一种或多种元素，通过在400～1100℃的范围内进行第1加热处理，使该非晶硅膜结晶，得到结晶硅膜，在含有卤素的氧化气氛中在上限为1100℃的范围内进行第2加热处理，除掉或者减少存在该结晶硅膜中的该选用Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Au中一种或多种元素，除掉在该工序中形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上再次进行热氧化，形成热氧化膜。