一种用于形成互连结构的方法

摘要

一种用于形成互连结构的方法，适合于微电子器件芯片的倒装芯片固定至封装体的互连结构，其包括两层，三层或四层球限成分。该方法包括：在衬底上形成球限成分，其中所述球限成分由下面步骤形成：在所述衬底上沉积粘接层；在所述粘接层上沉积反应阻挡层；以及在所述焊料反应阻挡层上沉积焊料可润湿层，所述焊料可润湿层是通过溅射，镀覆或蒸发沉积的，所述焊料可润湿层包含Cu；在球限成分上形成光刻胶图案；通过使用光刻胶作为蚀刻掩膜蚀刻球限成分；将余下的球限成分上的光刻胶除去；以及在所述球限成分上沉积Sn占主要成分的无铅焊料，所述Cu扩散进所述无铅焊料中，从而形成低共熔焊料。

主权项

一种用于形成互连结构的方法，该互连结构适合于微电子器件芯片的倒装芯片固定至封装体，该方法包括：在衬底上形成球限成分，其中所述球限成分由下面步骤形成：在所述衬底上沉积粘接层；在所述粘接层上沉积焊料反应阻挡层；以及在所述焊料反应阻挡层上沉积焊料可润湿层，所述焊料可润湿层是通过溅射，镀覆或蒸发沉积的，所述焊料可润湿层包含Cu；在球限成分上形成光刻胶图案；通过使用光刻胶作为蚀刻掩膜蚀刻球限成分；将余下的球限成分上的光刻胶除去；以及在所述球限成分上沉积Sn占主要成分的无铅焊料，所述Cu扩散进所述无铅焊料中，从而形成低共熔焊料，其中无铅焊料为含银重量百分比为2.0-3.8％的锡-银焊料或铋重量百分比含量低于10％的锡-铋焊料或锑重量百分比含量低于5％的锡-锑焊料。