发明名称 | 薄膜电晶体、画素结构及其制造方法 | ||
摘要 | 一种薄膜电晶体的制造方法包括下列步骤:首先,于基板上形成一源极。接着,形成一第一绝缘图案层,以覆盖部分源极与基板。第一绝缘图案层具有一暴露出部分源极之开口。然后,于第一绝缘图案层上形成一闸极图案层。之后,于闸极图案层上形成一第二绝缘图案层,闸极图案层与第二绝缘图案层围绕开口。接着,于开口内之闸极图案层侧缘上形成一第二侧护壁。然后,于开口内形成一通道层,覆盖第二侧护壁与源极。之后,于通道层与第二绝缘图案层上形成一具有接触窗开口之保护层,以暴露出部分通道层。接着,于暴露出之通道层上形成一汲极。 | ||
申请公布号 | TWI323946 | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
申请号 | TW096116613 | 申请日期 | 2007.05.10 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 罗韦翔;李豪捷 |
分类号 | H01L29/786;G02F1/1368 | 主分类号 | H01L29/786 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | 一种薄膜电晶体的制造方法,包括:提供一基板;于该基板上形成一源极;形成一第一绝缘图案层,以覆盖部分之该源极与该基板,其中该第一绝缘图案层具有一覆盖层与一第一侧护壁,该第一侧护壁延伸于该源极两侧之基板上,该覆盖层覆盖部分之该源极,且该覆盖层与该第一侧护壁形成一暴露出部分该源极之开口;于该第一绝缘图案层上依序形成一闸极图案层及一第二绝缘图案层,该闸极图案层与该第二绝缘图案层围绕该开口;于该开口内之该闸极图案层侧缘上形成一第二侧护壁;于该开口内形成一通道层,覆盖该第二侧护壁与该源极;于该通道层与该第二绝缘图案层上形成一保护层,其中该保护层具有一接触窗开口,以暴露出部分之该通道层;以及于暴露出之该通道层上形成一汲极。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |