| 发明名称 | 一种肖特基势垒二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种肖特基势垒二极管及其制备方法，该二极管的结构为：以N型半导体为基片，在上面形成N-外延层，阳极为(阻档层)金属材料；其制备包括：在硅外延片和金属之间用75度清洗试剂清洗10-30分钟生长一层薄氧化层，氧化层厚度在<img file="200910050995.1_AB_0.GIF" wi="73" he="22" />，然后溅射或蒸发金属，合金形成硅化物，作为势垒层，从而形成了肖特基势垒二极管。本发明制备方法简单，在低成本的条件下，通过薄氧化层的参与，降低了势垒高度，高效率的制备得到低正向压降的肖特基势垒二极管，与传统二极管结构相比，本发明二极管的应用范围更为广泛。 | ||
| 申请公布号 | CN101697357A | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200910050995.1 | 申请日期 | 2009.05.12 |
| 申请人 | 上海芯石微电子有限公司 | 发明人 | 杨忠武;宋凯霖;洪旭峰;任宏志 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种肖特基势垒二极管，其结构包括：以N型半导体为基片(阴极)，在上面生长N-外延层，N-外延淀积一层金属M作为阳极。 | ||
| 地址 | 200120 上海市浦东新区商城路738号胜康廖氏大厦1606号 | ||