| 发明名称 | 静电卡盘 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是要提供曝露在等离子体过后，仍可以维持平滑的面，其结果是可以抑制对于硅片等的被吸附物所造成微粒的污染，且有优异的吸附、脱离被吸附体的特性，以低温烧成，容易进行制作的静电卡盘。本发明的静电卡盘是具备有氧化铝为99.4wt％以上、氧化钛为大于0.2wt％且0.6wt％以下、室温中体积电阻率为108～1011Ωcm、且氧化钛偏析至氧化铝粒子的粒界的结构的静电卡盘用电介体。 | ||
| 申请公布号 | CN101379607B | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200780004585.2 | 申请日期 | 2007.02.08 |
| 申请人 | TOTO株式会社 | 发明人 | 安藤正美;宫地淳;冈本修 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;B23Q3/15(2006.01)I;C04B35/10(2006.01)I;H02N13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人 | 涂勇 |
| 主权项 | 一种静电卡盘，其特征为：具备有静电卡盘用电介体，所述静电卡盘用电介体的结构是氧化铝为99.4wt％以上，氧化钛为大于0.2wt％且0.6wt％以下，室温中体积电阻率为108～1011Ωcm，且氧化钛偏析至氧化铝粒子的粒界。 | ||
| 地址 | 日本国福冈县北九州市小仓北区中岛2丁目1番1号 | ||