| 发明名称 | 半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供包括核心器件区域和I/O区域的半导体衬底，半导体衬底上形成有栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极；以栅极为掩膜，在核心器件区域的半导体衬底内进行第一次离子注入；进行尖锋退火，在核心器件区域形成低掺杂源漏区；以栅极为掩膜，在I/O区域的半导体衬底内进行第二次离子注入；进行快速热退火，在I/O区域形成低掺杂源漏区；在核心器件区域和I/O区域的栅极介电层以及栅极的侧壁形成间隙壁；以栅极和间隙壁为掩膜，在核心器件区域和I/O区域的半导体衬底内进行第三次离子注入，形成重掺杂源漏区。所述方法可以调整器件的饱和电流，并改善输入/输出器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101295675B | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200710040247.6 | 申请日期 | 2007.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，半导体衬底包括核心器件区域和输入/输出器件区域，核心器件区域和输入/输出器件区域的半导体衬底上都形成有栅极介电层和位于栅极介电层上的栅极；以栅极为掩膜，在核心器件区域的半导体衬底内进行第一次离子注入；进行尖锋退火，在核心器件区域栅极介电层两侧的半导体衬底内形成低掺杂源漏区；以栅极为掩膜，在输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第二次离子注入；进行快速热退火，在输入/输出器件区域栅极介电层两侧的半导体衬底内形成低掺杂源漏区；在核心器件区域和输入/输出器件区域的栅极介电层以及栅极的侧壁形成间隙壁；以栅极和间隙壁为掩膜，在核心器件区域和输入/输出器件区域的半导体衬底内进行第三次离子注入，形成重掺杂源漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||