发明名称 闪存装置及用以控制其擦除操作的方法
摘要 本发明提供闪存装置及用以控制其擦除操作的方法。非易失性存储器装置包括第一及第二存储器单元块,每一存储器单元块包括多个存储器单元及包括局部漏极选择线、局部源极选择线及多条局部字符线。块选择单元分别连接给定局部字符线至全局字符线以响应块选择信号。第一偏压产生器配置成用以在擦除操作期间施加至少第一及第二擦除电压至全局字符线,第一擦除电压在擦除操作的第一擦除尝试期间被施加至全局字符线,第二擦除电压在第二擦除尝试期间被施加至全局字符线,其中如果第一擦除尝试未成功地实施擦除操作,则实施第二擦除尝试。第一及第二擦除电压是正电压。本体电压产生器在擦除操作期间施加本体电压至存储器单元的本体。
申请公布号 CN101178937B 申请公布日期 2010.04.21
申请号 CN200710110175.8 申请日期 2007.06.18
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 李熙烈
分类号 G11C16/16(2006.01)I;G11C16/08(2006.01)I 主分类号 G11C16/16(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 郭定辉;黄小临
主权项 一种非易失性存储器装置,包括:第一存储器单元块及第二存储器单元块,每一存储器单元块包括多个存储器单元并包括局部漏极选择线、局部源极选择线及多条局部字符线;块选择单元,分别连接给定局部字符线至全局字符线以响应块选择信号;第一偏压产生器,配置成用以在擦除操作期间施加至少第一擦除电压及第二擦除电压至全局字符线,第一擦除电压在擦除操作的第一擦除尝试期间被施加至全局字符线,第二擦除电压在第二擦除尝试期间被施加至全局字符线,其中如果第一擦除尝试未成功地实施擦除操作,则实施第二擦除尝试,第一擦除电压及第二擦除电压是正电压;以及本体电压产生器,在擦除操作期间施加本体电压至存储器单元的本体。
地址 韩国京畿道