| 发明名称 | 具有金刚石形金属互连配置的半导体功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有金刚石形金属互连配置的半导体功率器件。晶体管(10)被制作成晶体管单元(13)的矩阵，具有用于接触晶体管单元的漏极(15)的漏极金属条(50)和用于接触晶体管单元的源极(35)的源极金属条(55)。覆盖晶体管单元矩阵的互连层(1030)具有通过第一和第二通路(79)接触一个漏极金属条的第一部分(201)和通过第三和第四通路(78)接触一个源极金属条的第二部分(101)。 | ||
| 申请公布号 | CN1574335B | 申请公布日期 | 2010.04.21 |
| 申请号 | CN200410046090.4 | 申请日期 | 2004.06.04 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 根纳季·涅姆采夫;王辉;郑英平;拉杰什·S·耐尔 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：晶体管单元矩阵，包括用于接触晶体管单元的漏极的漏极金属条和用于接触晶体管单元的源极的源极金属条；和互连层，该互连层覆盖晶体管单元矩阵并具有第一和第二漏极部分，各自通过多个通路接触漏极金属条之一；以及第一和第二源极部分，各自通过多个通路接触源极金属条之一，其中所述第一和第二漏极部分以及第一和第二源极部分被制作成具有大致的金刚石形状。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||