贴合半导体衬底及其制造方法

摘要

将离子注入后、贴合、通过热处理而剥离后的贴合衬底的活性层表面采用有蚀刻作用的溶液只蚀刻1nm～1μm，使最终的活性层厚度为200nm以下。使用SC-1液体。在蚀刻前后也可以实施抛光、氢退火、牺牲氧化。能使将该薄膜活性层的膜厚在整个表面均匀化，降低其表面粗糙度。

主权项

一种贴合SOI衬底的制造方法，其特征在于，包括：向形成了绝缘层的活性层用晶片离子注入轻元素，在该活性层用晶片的规定深度的位置形成离子注入层的工序，贴合支撑衬底和该活性层用晶片而获得贴合衬底的工序，然后通过热处理该贴合衬底，剥离构成该贴合衬底的活性层用晶片上的比所述离子注入层更靠表面一侧的部分，同时残留比离子注入层更靠贴合面一侧的活性层用晶片作为活性层的工序，和以控制该活性层的厚度为目的，采用具有蚀刻作用的溶液对该残留的活性层的表面只蚀刻1nm～1μm，使最终活性层的厚度为200nm以下的工序，其中上述有蚀刻作用的溶液是包含碱性剂和氧化剂的pH9以上的溶液。