制作邻接接触体的半导体制造工艺与半导体装置

摘要

本发明提出一种制作邻接接触体的半导体制造工艺，包含以下步骤：提供一基体，此基体上具有至少两个邻接的晶体管栅极；对该两晶体管栅极间的区域，全面进行斜角度离子植入，形成第一传导型的淡掺杂区；在该两晶体管栅极间的区域，形成第一传导型和第二传导型的浓掺杂区，并以第二传导型的浓掺杂区盖过部分第一传导型的淡掺杂区，且以第二传导型的浓掺杂区将第一传导型的浓掺杂区分隔；沉积介电层；以及在该介电层中形成至少一个邻接接触体，此邻接接触体同时接触受分隔的第一传导型的浓掺杂区。

主权项

一种制作邻接接触体的光罩组，包含：第一淡掺杂区光罩，供进行第一传导型的离子植入，此光罩图案可供全面打开邻接接触体区域；第一浓掺杂区光罩，供进行第一传导型的离子植入，此光罩图案仅部分打开邻接接触体区域；以及第二掺杂区光罩，供进行第二传导型的离子植入，此光罩图案仅部分打开邻接接触体区域。