发明名称 Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren mit den folgenden Schritten: Bereitstellen von mindestens zwei Halbleiterchips (10); Aufbringen eines dielektrischen Materials (11) auf die mindestens zwei Halbleiterchips (10), um die mindestens zwei Halbleiterchips aneinander zu befestigen (10); selektives Entfernen eines Teils des dielektrischen Materials (11) zwischen den mindestens zwei Halbleiterchips (10), um mindestens eine Aussparung (12) in dem dielektrischen Material (11) zu bilden; und Aufbringen einer Metallpartikel umfassenden Paste (13) auf die mindestens eine Aussparung in dem dielektrischen Material (11).
申请公布号 DE102009038702(A1) 申请公布日期 2010.04.15
申请号 DE20091038702 申请日期 2009.08.25
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 FUERGUT, EDWARD;MAHLER, JOACHIM;KOBLINSKI, CARSTEN VON;NIKITIN, IVAN
分类号 H01L21/60;H01L23/48 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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