| 发明名称 | 可编程电阻存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种集成电路非易失性存储器，其使用可编程电阻元件。在某些实施例中，准备如电极等的导电结构，且可编程电阻元件位于这些预先准备的电极之上。此种方式防止了可编程电阻元件受到先前工艺步骤的污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101000892B | 申请公布日期 | 2010.04.14 |
| 申请号 | CN200710001813.2 | 申请日期 | 2007.01.05 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 一种形成具有非易失性存储单元集成电路的方法，包括：形成行存取电路，以存取特定非易失性存储单元，包括：形成导电行以沿着各行存取该非易失性存储单元；以及形成列存取电路，以存取特定非易失性存储单元，包括：形成导电列以沿着各列存取该非易失性存储单元；以及接着形成所述非易失性存储单元的可编程电阻元件，以利用每个所述导电行与导电列而电连接每个该可编程电阻元件，其中，所述可编程电阻元件垂直地位于所述导电行与所述导电列之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||