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发明名称
Phase change memory device
摘要
A phase change memory device comprises an insulating layer and a phase change layer formed on the insulating layer. A phase change layer has a pad portion. The pad portion is formed with at least one slit.
申请公布号
US7696504(B2)
申请公布日期
2010.04.13
申请号
US20070857707
申请日期
2007.09.19
申请人
ELPIDA MEMORY, INC.
发明人
KAWAGOE TSUYOSHI
分类号
H01L29/02
主分类号
H01L29/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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