使用半导体微影技术制备单电子电晶体的方法

摘要

本发明系提供一种「使用半导体微影技术制备单电子电晶体的方法」，其步骤包含：(a)在既定成长(型)于基材(substrate)上之奈米结构筒状细孔(pore)的顶部开口上，以原子或分子态的材料堆积黏着于该奈米结构筒状细孔的顶部开口，使其顶部开口的口径逐渐缩小而形成一较原有顶部开口口径为小的奈米缩小口(reduced nano-aperture)；(b)将基材固定在水平方向，再以气体分子或原子型态的镀源材料垂直正对于该奈米缩小口，使该气体分子或原子型态的镀源材料穿透该奈米缩小口后，即会直接在奈米结构筒状细孔的底部基材表面上，镀着形成一个与该奈米缩小口之口径尺度相同的浮闸奈米量子点；(c)先令基材以奈米缩小口为中心向右倾斜一倾斜角度，且气体分子或原子型态的镀源材料输出方向不变，再次将该镀源材料穿透该奈米缩小口，即会在该浮闸奈米量子点之右侧位置的基材表面上，镀着出一汲极奈米量子点；(d)再令基材以奈米缩小口为中心向左倾斜一倾斜角度，且气体分子或原子型态的镀源材料输出方向不变，再次将该镀源材料穿透该奈米缩小口，即会在该浮闸奈米量子点之左侧位置的基材表面上，镀着出一源极奈米量子点；(e)以奈米缩小口的中心线作为轴心，并配合一倾斜的倾斜角度与一旋转的旋转角度，且气体分子或原子型态的镀源材料输出方向不变，即会在该浮闸之前侧位置的基材之表面上，镀着出一闸极奈米量子点；(f)最后以溶剂洗涤(即湿式蚀刻wet etching)或气体腐蚀(即乾式蚀刻dry etching)等方式将基材上的阻剂及阻剂上的奈米结构筒状细孔消除，即可在基材上制备出具有奈米尺度的浮闸奈米量子点、汲极奈米量子点、源极奈米量子点及闸极奈米量子点结构之单电子电晶体。

主权项

一种「使用半导体微影技术制备单电子电晶体的方法」，其步骤包含：(a)在既定成长(型)于基材(substrate)的阻剂(resist)上之奈米结构筒状细孔(pore)的顶部开口上，先以原子或分子态的封口材料堆积黏着于该奈米结构筒状细孔的顶部开口，使该顶部开口的口径逐渐缩小而形成一较原顶部开口之口径为小的奈米缩小口(reduced nano-aperture)；(b)将基材固定在水平方向，再以气体分子或原子型态的镀源材料垂直正对于该奈米缩小口，使该气体分子或原子型态的镀源材料穿透该奈米缩小口后，即会直接在奈米结构筒状细孔的底部基材表面上，镀着形成一个与该奈米缩小口之口径尺度相同的浮闸奈米量子点；(c)先令基材以奈米缩小口为中心向右倾斜一倾斜角度，且气体分子或原子型态的镀源材料输出方向不变，再次将该气体分子或原子型态的镀源材料穿透该奈米缩小口，即会在该浮闸奈米量子点之右侧位置的基材之表面上，镀着出一汲极奈米量子点；(d)再令基材以奈米缩小口为中心向左倾斜一倾斜角度，且气体分子或原子型态的镀源材料输出方向不变，再次将该气体分子或原子型态的镀源材料穿透该奈米缩小口，即会在该浮闸奈米量子点之左侧位置的基材之表面上，镀着出一源极奈米量子点；(e)以奈米缩小口的中心线作为轴心，并配合一倾斜的倾斜角度与一旋转的旋转角度，且气体分子或原子型态的镀源材料输出方向不变，再经由气体分子或原子型态的镀源材料穿透该奈米缩小口后，即会在该浮闸奈米量子点之前侧位置的基材之表面上，镀着出一闸极奈米量子点；及(f)最后以溶剂洗涤(即湿式蚀刻wet etching)或气体腐蚀(即乾式蚀刻dry etching)等方式将基材上的阻剂及阻剂上的奈米结构筒状细孔消除，即可在基材上制备出具有奈米尺度的浮闸奈米量子点、汲极奈米量子点、源极奈米量子点及闸极奈米量子点结构之单电子电晶体。