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Verfahren, Schaltungsanordnung und Brückenschaltung zum Aufladen einer an den Hauptstromanschlüssen eines Halbleiterschalters wirksamen Kapazität, insbesondere einer intrinsischen Kapazität, insbesondere der Drain-Source-Kapazität eines MOSFET-Halbleiterschalters oder der Kollektor-Emitter-Kapazität eines IGBT-Halbleiterschalters, wobei die Vorladung, insbesondere die zumindest teilweise Aufladung, der wirksamen Kapazität zwangsweise über einen Ladestrompfad gesteuert wird.
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