Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, insbesondere einer Solarzelle, auf Basis einer Siliziumdünnschicht

摘要

Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle auf Basis einer Siliziumdünnschicht (5) vorgeschlagen. Das Verfahren weist auf: Bereitstellen eines Siliziumsubstrates (1); Ausbilden einer porösen Schicht (3) an einer Oberfläche des Siliziumsubstrates (1); Abscheiden einer Siliziumdünnschicht (5) auf der porösen Schicht (3); und Abrennen der Siliziumdünnschicht (5) von dem Siliziumsubstrat (1e dient. Die poröse Schicht (3) wird dabei durch stromloses chemisches Ätzen des Siliziumsubstrates (1) ausgebildet. Durch den Verzicht auf herkömmlich verwendetes anodisches Ätzen und den Ersatz durch stromloses chemisches Ätzen kann der Herstellungsprozess erheblich vereinfacht werden.