| 发明名称 | 一种在p型硅上实现ZnO薄膜纯紫外电致发光的器件结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在p型硅上实现ZnO薄膜纯紫外电致发光的器件结构，在p型硅衬底的正面自下而上依次生长有第一SiO2薄膜、ZnO薄膜、第二SiO2薄膜和半透明电极，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极。本发明同时公开了该器件的制备方法。利用该器件结构在反向偏压下(p型硅接负极)成功实现了p型硅上的ZnO薄膜纯紫外电致发光，器件结构简单、制备工艺成熟、重复性较好、与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN101692751A | 申请公布日期 | 2010.04.07 |
| 申请号 | CN200910153431.0 | 申请日期 | 2009.10.12 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 陈培良;马向阳;杨德仁 |
| 分类号 | H05B33/00(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I;H05B33/22(2006.01)I;H05B33/02(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H05B33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种在p型硅上实现ZnO薄膜纯紫外电致发光的器件结构，其特征在于：在p型硅衬底(1)的正面自下而上依次生长有第一SiO2薄膜(2)、ZnO薄膜(3)、第二SiO2薄膜(4)和半透明电极(5)，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极(6)。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||