发明名称 高亮度发光二极管
摘要 本发明公开了一种高亮度发光二极管,包括一块板状基材、一层以氮化镓系半导体材料形成在该基材上并可以量子效应产生光的量子单元,及二片与该量子单元相欧姆接触以提供电能的电极,特别的是,每一片电极具有一层由绝缘材料构成而与量子单元形成异质能阶带的绝缘层、一层由具有高反射系数的材料形成在绝缘层上用以补偿菲涅斯损失的反射层,及至少一层由导电材料形成在反射层上以传导扩散电流的导电层,而可形成萧基特整流接触,将电流集中扩散通过区域增加此区域的内部量子效应,提高整体发光亮度,并可同时减少元件过热的问题。
申请公布号 CN101364625B 申请公布日期 2010.04.07
申请号 CN200710143217.8 申请日期 2007.08.07
申请人 新世纪光电股份有限公司 发明人 徐智魁;徐海文;钟宽仁
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中国商标专利事务所有限公司 11234 代理人 万学堂
主权项 一种高亮度发光二极管,包括:一块板状基材、一层以氮化镓系半导体材料形成在该基材上的量子单元、一片设置在量子单元上的第一电极,及一片设置在量子单元上并可与该片第一电极相配合对该量子单元提供电能的第二电极,该量子单元并具有一层与该基材连接且包括有一块中央区及一块环围该中央区的外环区的第一型披覆层、一层自该第一型披覆层的中央区顶面向上形成的活性层,及一层自该活性层顶面向上形成的第二型披覆层,该第一、二型披覆层相对该活性层成量子能障而以光电效应产生光;其特征在于:该层量子单元还具有二个分别形成在该第一型披覆层的外环区与该第二型披覆层表面的凹孔,该片第一电极设置在形成于该第一型披覆层的外环区的凹孔中,并具有一层由绝缘材料构成的第一绝缘层、一层由具有高反射系数材料自该第一绝缘层顶面向上形成的第一反射层,及一层由导电材料自该第一反射层顶面向上形成且与该第一型披覆层相欧姆接触的第一导电层,该片第二电极设置在形成于该第二型披覆层表面的凹孔中,且具有一层由绝缘材料构成的第二绝缘层、一层由具有高反射系数材料自该第二绝缘层顶面向上形成的第二反射层,及一层由导电材料自该第二反射层顶面向上形成且与该第二型披覆层相欧姆接触的第二导电层;该块基材还具有一层底层,及一层由具有高反射系数材料形成在该底层上的主反射层;该高亮度发光二极管还包括一层由透明且可导电的材料形成在该第二型披覆层上的电流扩散层。
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