发明名称 |
一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池 |
摘要 |
本发明涉及一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池,属太阳电池技术领域。本发明的具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池为:采用垂直的ZnO,TiO2和SiO2纳米棒阵列作为光耦合元的叠层太阳电池由上、中、下三个电池构成;其中:下电池是带隙为1.1eV的常规的Si电池,上电池和中电池为Si量子点电池,上、下两个Si量子点太阳电池的带隙选择分别为2eV和1.5eV,对应的Si量子点的尺寸分别为20~40nm和65~85nm。其中:量子点采用以SiO2、Si3N4和SiC为基质的Si、Ge、Sn量子点。叠层太阳电池的数目是1个,2个,3个,…直到n个。本发明的优点是:从根本上提高太阳电池对太阳光谱的吸收效率和转换效率,有效提高了太阳电池的光电转换效率,制备工艺简单,制造成本低。 |
申请公布号 |
CN101692464A |
申请公布日期 |
2010.04.07 |
申请号 |
CN200910094708.7 |
申请日期 |
2009.07.09 |
申请人 |
云南师范大学 |
发明人 |
杨培志;刘黎明;郝瑞亭;杨雯;莫镜辉;邓书康 |
分类号 |
H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 |
昆明今威专利代理有限公司 53115 |
代理人 |
杨宏珍 |
主权项 |
一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池,其特征在于采用垂直的ZnO或TiO2或SiO2纳米棒阵列作为光耦合元的叠层太阳电池由上、中、下三个电池构成;其中:下电池是带隙为1.1eV的常规的Si电池,上电池和中电池为Si量子点电池,上、下两个Si量子点太阳电池的带隙选择分别为2eV和1.5eV,对应的Si量子点的尺寸分别为20~40nm和65~85nm。 |
地址 |
650092 云南省昆明市五华区一二一大街298号 |