发明名称 一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池
摘要 本发明涉及一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池,属太阳电池技术领域。本发明的具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池为:采用垂直的ZnO,TiO2和SiO2纳米棒阵列作为光耦合元的叠层太阳电池由上、中、下三个电池构成;其中:下电池是带隙为1.1eV的常规的Si电池,上电池和中电池为Si量子点电池,上、下两个Si量子点太阳电池的带隙选择分别为2eV和1.5eV,对应的Si量子点的尺寸分别为20~40nm和65~85nm。其中:量子点采用以SiO2、Si3N4和SiC为基质的Si、Ge、Sn量子点。叠层太阳电池的数目是1个,2个,3个,…直到n个。本发明的优点是:从根本上提高太阳电池对太阳光谱的吸收效率和转换效率,有效提高了太阳电池的光电转换效率,制备工艺简单,制造成本低。
申请公布号 CN101692464A 申请公布日期 2010.04.07
申请号 CN200910094708.7 申请日期 2009.07.09
申请人 云南师范大学 发明人 杨培志;刘黎明;郝瑞亭;杨雯;莫镜辉;邓书康
分类号 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0232(2006.01)I 主分类号 H01L31/042(2006.01)I
代理机构 昆明今威专利代理有限公司 53115 代理人 杨宏珍
主权项 一种具有纳米棒阵列光耦合元的叠层太阳电池,其特征在于采用垂直的ZnO或TiO2或SiO2纳米棒阵列作为光耦合元的叠层太阳电池由上、中、下三个电池构成;其中:下电池是带隙为1.1eV的常规的Si电池,上电池和中电池为Si量子点电池,上、下两个Si量子点太阳电池的带隙选择分别为2eV和1.5eV,对应的Si量子点的尺寸分别为20~40nm和65~85nm。
地址 650092 云南省昆明市五华区一二一大街298号