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发明名称
半导体装置及半导体装置之制造方法
摘要
本发明提供一种可简化制程的半导体装置。此半导体装置具备:以接触于包含电路的半导体晶片的上面的方式形成之由单一材料所构成之第1绝缘膜;以接触于第1绝缘膜的上面的方式而形成之第1配线;及从上述半导体晶片的侧面开始沿着下面延伸的方式而形成,并对着藉由去除上述第1绝缘膜的一部分而露出的第1配线的下面连接之第2配线。
申请公布号
TWI323001
申请公布日期
2010.04.01
申请号
TW093128145
申请日期
2004.09.17
申请人
三洋电机股份有限公司
发明人
海田孝行;清水龙;冲川满;三轮哲也;野间崇
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
一种半导体装置,系具备:以接触于包含电路的半导体晶片的上面的方式,而形成之由单一材料所构成之第1绝缘膜;以接触于上述第1绝缘膜的上面的方式而形成之第1配线;及以从上述半导体晶片的侧面开始沿着下面延伸的方式而形成,并对着藉由去除上述第1绝缘膜的一部分而露出的第1配线的下面连接之第2配线。
地址
日本
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