| 发明名称 | 离子源 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种离子源，其包括：一放电室；一磁路，该磁路环绕该放电室；一供气系统，该供气系统与该放电室相连通，用于向该放电室提供工作气体及反应气体，所述工作气体为氩气，所述反应气体为氧气；一阳极，设置于该放电室之下方；一阴极，设置于该放电室之上方，与上述阳极相对应；其中，该阴极为复数场发射冷阴极，其发射端对准该放电室。采用奈米碳管场发射装置作为阴极之离子源具有低能耗，且无须时常更换阴极之优点。 | ||
| 申请公布号 | TWI322996 | 申请公布日期 | 2010.04.01 |
| 申请号 | TW093138256 | 申请日期 | 2004.12.10 |
| 申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 李欣和 |
| 分类号 | H01J27/02 | 主分类号 | H01J27/02 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种离子源，其包括：一放电室；一磁路，该磁路环绕该放电室；一供气系统，该供气系统与该放电室相连通，用于向该放电室提供工作气体及反应气体，所述工作气体为氩气，所述反应气体为氧气；一阳极，设置于该放电室之下方；一阴极，设置于该放电室之上方，与上述阳极相对应；其改良在于该阴极为复数场发射冷阴极，其发射端对准该放电室。 | ||
| 地址 | 台北县土城市自由街2号 | ||