半导体晶片之制造方法、半导体装置之制造方法、半导体晶片以及半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体晶片之制造方法，系包含：从具有表面及背面且在上述表面形成有功能元件之半导体基板的上述表面形成朝该半导体基板之厚度方向延伸之表面侧凹部的步骤；供给金属材料至该表面侧凹部内，以形成与上述功能元件电性连接之表面侧电极的表面侧电极形成步骤；从上述背面去除上述半导体基板，而使上述半导体基板薄型化至比上述表面侧凹部之深度大之预定厚度的薄型化步骤；在该薄型化步骤后，在上述半导体基板之上述背面形成连通至上述表面侧凹部之背面侧凹部，藉此形成包含上述表面侧凹部及上述背面侧凹部之连续的贯通孔的背面侧凹部形成步骤；以及供给金属材料至上述背面侧凹部，形成与上述表面侧电极电性连接且与上述表面侧电极一起形成贯通上述半导体基板之贯通电极的背面侧电极的背面侧电极形成步骤。

主权项

一种半导体晶片之制造方法，系包含：从具有表面及背面且在上述表面形成有功能元件之半导体基板的上述表面形成朝该半导体基板之厚度方向延伸之表面侧凹部的步骤；供给金属材料至该表面侧凹部内，以形成与上述功能元件电性连接之表面侧电极的表面侧电极形成步骤；从上述背面去除上述半导体基板，使上述半导体基板薄型化至比上述表面侧凹部之深度大之预定厚度的薄型化步骤；在该薄型化步骤后，在上述半导体基板之上述背面形成连通至上述表面侧凹部之背面侧凹部，藉此形成包含上述表面侧凹部及上述背面侧凹部之连续的贯通孔的背面侧凹部形成步骤；以及供给金属材料至上述背面侧凹部，形成与上述表面侧电极电性连接且与上述表面侧电极一起形成贯通上述半导体基板之贯通电极的背面侧电极的背面侧电极形成步骤。