| 发明名称 | 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。由于氢等离子体处理导致氢扩散进入ZnO薄膜，提高了接触区域ZnO薄膜的载流子浓度，减小了接触区域ZnO薄膜的电阻率，从而可以显著降低ZnO薄膜和金属的接触电阻，改善其欧姆接触特性。此外，在MS技术中，由于溅射出的粒子具有较高能量，使得ZnO/Ti界面原子能充分混合，可以提高Ti/Au接触在ZnO薄膜上的粘附性。利用该发明最终可以得到粘附良好、接触电阻低的欧姆接触，为实现ZnO薄膜电子器件奠定了基础。 | ||
| 申请公布号 | CN101685776A | 申请公布日期 | 2010.03.31 |
| 申请号 | CN200810223613.6 | 申请日期 | 2008.09.27 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张兴旺;蔡培锋;游经碧;范亚明;高云;陈诺夫 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/461(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01S5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1、一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法，其特征在于，该方法是在沉积金属电极之前，利用氢等离子体处理ZnO薄膜的电极接触区域，然后在经氢等离子体处理的ZnO薄膜电极接触区域沉积双层金属电极，形成欧姆接触。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||