发明名称 |
使用介电积层的激光辅助蚀刻法提供经布图处理的内嵌导电层的方法 |
摘要 |
一种提供经布图处理的导电层的方法。该方法包括:提供包含绝缘材料的积层;根据所要提供的经布图处理的导电层的预定图案对积层的选定部分进行激光照射,该激光照射包括使用具有比绝缘材料中至少一部分化学键的键能更高的光子能以形成与预定图案相对应的积层的预定激光削弱部分;去除积层的激光削弱部分以形成与预定图案对应的凹槽;并用导电材料填充这些凹槽以形成经布图处理的导电层。 |
申请公布号 |
CN101689482A |
申请公布日期 |
2010.03.31 |
申请号 |
CN200880022309.3 |
申请日期 |
2008.06.25 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
李永刚 |
分类号 |
H01L21/027(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/027(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
钱慰民;袁 逸 |
主权项 |
1.一种提供经布图处理的导电层的方法,包括:提供包含绝缘材料的积层;根据拟设置的经布图处理的导电层的预定图案对所述积层的选定部分进行激光照射,所述激光照射包括使用光子能高于所述绝缘材料中至少一部分化学键的键能的激光束根据所述预定图案形成所述积层的预定激光削弱部分;去除所述积层的所述激光削弱部分,形成根据所述预定图案的凹槽;用导电材料填充所述凹槽,形成所述经布图处理的导电层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |