一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有二极管驱动器的存储阵列及其制造方法。该制造方法是由一结构开始，一般包含介电填充材料，并具有导线形成在其较低的部位上，以及一牺牲层形成于其上表面之上。在该填充材料中形成二极管，每一二极管具有与该导线相同导电类型的一轻掺杂第一材料层；一相反导电类型的一重掺杂第二材料层；以及一导电覆盖层。在该二极管上形成自动对准介层孔。在该自动对准介层孔内的自动对准及自我置中间隔物定义孔洞且露出该导电覆盖层。沉积存储材料至该孔洞，使该存储材料与该导电覆盖层相接触。在该存储材料的上部位形成一顶电极。

主权项

1、一种存储阵列，其特征在于，包含：一结构包含介电填充材料并在其一较低部位具有导线；多个二极管，在该多个二极管中每一二极管具有一第一导电类型的一第一半导体层，耦接至在该结构中的一对应的导线，一第二导电类型的一第二半导体层，以及该第二半导体层上的一接点表面；介层孔位于该介电填充材料内，并对准及覆盖于该多个二极管中的个别二极管之上；间隔物位于该介层孔的内侧壁并与个别的二极管相接触，每一间隔物在该介层孔的置中定义出一自我置中开口且露出该个别二极管的该接点表面；存储材料位于该自我置中开口内并在该个别二极管的该接点表面上方，该存储材料与该接点表面接触；以及一顶电极与该存储材料相接触。