一种晶圆片晶边清洗宽度的检测方法

摘要

本发明涉及一种半导体光刻中用于检测晶圆片晶边清洗宽度的方法。所述检测方法的步骤包括：在晶圆片上涂覆光阻膜，并清洗晶边；在晶圆片的晶边上定义多个检测区段；在每个检测区段内定义多个厚度量测点；依次并重复量测不同检测区段内各量测点的光阻膜厚度；以光阻膜平均厚度为参照值，对比每个检测区段内各量测点的光阻膜厚度差异，寻得晶边清洗的边界，并由量测点坐标计算得出各检测区段的晶边清洗宽度。本发明的检测方法投入应用实施后，能够有效监控晶边清洗的宽度，根据量测结果有针对性地对光阻涂布机台的参数进行调整，使晶圆片晶边清洗的宽度和位置能够满足工艺的要求，提高产品良率。

主权项

1.一种晶圆片晶边清洗宽度的检测方法，其特征在于：所述检测方法的步骤包括：步骤一、提供一干净的半导体晶圆片衬底，在晶圆片衬底上涂覆光阻膜，并清洗晶边；步骤二、以晶圆片圆心为轴心，定义一直角坐标系，并在晶圆片的晶边上定义多个检测区段，所述检测区段的中心为晶边清洗宽度的预设值；步骤三、在每个检测区段内定义多个厚度量测点；步骤四、依次并重复量测不同检测区段内各量测点的光阻膜厚度；步骤五、以光阻膜平均厚度为参照值，对比每个检测区段内各量测点的光阻膜厚度差异，当两相邻量测点的光阻膜厚度差异达到甚至超过该参照值时，即判断该检测区段的清洗边界落在该两个量测点之间；步骤六、由量测点坐标，计算出清洗边界到晶圆片衬底晶边的距离，即为晶边清洗的宽度，统计各检测区段测得的晶边清洗宽度。