发明名称 |
大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构 |
摘要 |
一种大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构,其特征在于,包括:一衬底,该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上,为N-镓砷材料;一N型下限制层,该N型下限制层制作在缓冲层上;一下波导层,该下波导层制作在下限制层上;一量子阱层,该量子阱层制作在下波导层上;一上波导层,该上波导层制作在量子阱层上;一P型上限制层,该P型上限制层制作在上波导层上;一过渡层,该过渡层制作在P型上限制层上;一电极接触层,该电极接触层制作在过渡层上,形成量子阱半导体激光器半无铝结构。 |
申请公布号 |
CN1917313A |
申请公布日期 |
2007.02.21 |
申请号 |
CN200510090639.4 |
申请日期 |
2005.08.18 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
王俊;马骁宇;林涛;郑凯;王勇刚 |
分类号 |
H01S5/343(2006.01);H01S5/20(2006.01);H01S5/00(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/343(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
1、一种大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构,其特征在于,包括:一衬底,该衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长;一缓冲层,该缓冲层制作在衬底上,为N-镓砷材料;一N型下限制层,该N型下限制层制作在缓冲层上;一下波导层,该下波导层制作在下限制层上;一量子阱层,该量子阱层制作在下波导层上;一上波导层,该上波导层制作在量子阱层上;一P型上限制层,该P型上限制层制作在上波导层上;一过渡层,该过渡层制作在P型上限制层上;一电极接触层,该电极接触层制作在过渡层上,形成量子阱半导体激光器半无铝结构。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |