| 发明名称 | MEMS谐振器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种MEMS压阻式谐振器(8，78)，以比基本本征模(31)更高阶的高阶本征模(32)来驱动该MEMS压阻式谐振器(8，78)。例如，通过使感测电流(22)的流动路线位于高阶本征模(32)的最大位移(50)的点处，或位于高阶本征模(32)的位移的距离(x)的最大变化率的点处，来与高阶本征模(32)的特性相关地布置感测电流(22)的流动路线。可以通过制造具有槽(15)的MEMS压阻式谐振器(8，78)来布置感测电流(22)的流动路线，所述槽(15)在MEMS压阻式谐振器(8，78)的两个梁(11，12)之间形成，所述槽(15)的端部位于上述位置处。 | ||
| 申请公布号 | CN101682309A | 申请公布日期 | 2010.03.24 |
| 申请号 | CN200880017824.2 | 申请日期 | 2008.05.28 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 卡斯珀·范德阿奥斯特 |
| 分类号 | H03H9/24(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1、一种操作MEMS压阻式谐振器(8，78)的方法；该方法包括：以比基本本征模(31)更高阶的高阶本征模(32)来驱动MEMS压阻式谐振器(8，78)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||