半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：通过对半导体衬底照射包含于激发源气体产生的等离子体中的离子种，来在所述半导体衬底中形成损伤区域；在基底衬底和所述半导体衬底中的至少一个上形成接合层；隔着所述接合层彼此贴合所述基底衬底和所述半导体衬底；通过加热所述半导体衬底在所述损伤区域分割所述半导体衬底，以在所述基底衬底上形成从所述半导体衬底分离的第一半导体层；通过蚀刻所述第一半导体层的一部分形成第二半导体层；在所述第二半导体层上形成绝缘膜；在所述第二半导体层上隔着所述绝缘膜形成栅电极；在所述第二半导体层的不与所述栅电极重叠的区域中形成吸杂位置区域；以及进行加热处理，以使所述第二半导体层中的金属元素吸杂到所述吸杂位置区域。