具有多个电阻状态的相变存储器结构及其编程和感测方法

摘要

本发明提供一种具有多个电阻状态的相变存储器结构及其形成、编程和感测方法。所述存储器结构包含提供于电极之间的两个或两个以上相变元件。每一相变元件具有随着编程电压而变的相应电阻曲线，所述电阻曲线相对于其它相变元件的所述电阻曲线而移位。在使用两个相变元件的一个实例结构中，所述存储器结构能够在四个电阻状态之间切换。

主权项

1.一种电阻性存储器单元，其包括：第一和第二电极；以及多个相变电阻元件，其提供于所述第一电极与第二电极之间，所述电阻元件中的每一者具有随着编程电压而变的相应电阻曲线，所述电阻曲线相对于所述电阻元件中的其它者的所述电阻曲线而移位。