存储器系统

摘要

根据本发明实施例的存储器系统包括：数据管理单元120，其被划分为DRAM层管理单元120a、逻辑NAND层管理单元120b以及物理NAND层管理单元120c，以使用各个管理单元独立地执行对DRAM层，逻辑NAND层以及物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。

主权项

1.一种存储器系统，包括：非易失性半导体存储器，其包括多个并行操作元件，所述多个并行操作元件分别具有多个物理块作为数据擦除的单位；高速缓冲存储器，其被配置在主机设备与所述非易失性半导体存储器之间；控制器，其并行驱动所述并行操作元件，并通过所述高速缓冲存储器而执行在所述非易失性半导体存储器与所述主机设备之间的数据传送；第一管理表，其具有在并行驱动的所述物理块和与所述物理块相关联的逻辑块之间的对应关系；以及第二管理表，其具有在以扇区单位从所述主机设备输入的LBA逻辑地址与所述逻辑块之间的对应关系，其中所述控制器包括：第一控制单元，当发生与在所述物理块和所述逻辑块之间的对应关系的改变有关的第一事件时，所述第一控制单元基于所述第一管理表执行与所述第一事件对应的处理，并更新所述第一管理表；以及第二控制单元，当发生与在所述LBA逻辑地址和所述逻辑块之间的对应关系的改变有关的第二事件时，所述第二控制单元基于所述第二管理表执行与所述第二事件对应的处理，并更新所述第二管理表；并且所述控制器使得所述第一和第二控制单元彼此独立地操作。