发明名称 |
原子层沉积技术 |
摘要 |
揭示一种原子层沉积技术。在一个特定例示性实施例中,可通过用于原子层沉积的装置来实现此技术。所述装置可包括一处理腔室,其具有一用以固持至少一个基板的基板平台。所述装置亦可包括一前驱物质的供应源,其中前驱物质包括至少一种第一种类的原子以及至少一种第二种类的原子,且其中供应源提供前驱物质以使至少一个基板的表面饱和。所述装置可还包括至少一种第三种类的介稳态原子的等离子源,其中介稳态原子能够自至少一个基板的饱和表面脱附至少一种第二种类的原子以形成至少一种第一种类的一个或多个原子层。 |
申请公布号 |
CN101680087A |
申请公布日期 |
2010.03.24 |
申请号 |
CN200780052552.5 |
申请日期 |
2007.03.06 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司;东北大学 |
发明人 |
维克拉姆·辛;哈勒德·M·波辛;艾德蒙德·J·温德;杰弗里·A·后普沃德;安东尼·雷诺 |
分类号 |
C23C16/24(2006.01)I;C23C16/452(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
1、一种用于原子层沉积的装置,所述装置包括:处理腔室,其具有用以固持至少一个基板的基板平台;前驱物质的供应源,其中所述前驱物质包括至少一种第一种类的原子以及至少一种第二种类的原子,且其中所述供应源提供所述前驱物质以使所述至少一个基板的表面饱和;以及至少一种第三种类的介稳态原子的等离子源,其中所述介稳态原子能够自所述至少一个基板的所述饱和表面脱附所述至少一种第二种类的所述原子以形成所述至少一种第一种类的一个或多个原子层。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州 |