发明名称 |
用于快速估计场效应晶体管阵列中的依赖布图的阈值电压变化的方法 |
摘要 |
一种用于估计集成电路布图中由于布图引起的阈值电压的变化的自动化方法。该方法开始于选择供分析的布图内的扩散区域的步骤。接着,该系统识别所选择的区域上的Si/STI边和沟道区域以及它们的关联的栅极/Si边。接着,识别每个标识的沟道区域中的阈值电压变化,其进一步需要以下步骤:计算由于纵向上的影响造成的阈值电压变化;计算由于横向上的影响造成的阈值电压变化;以及合并该纵向和横向变化以提供整体变化。最后,通过合并各个沟道变化来确定总变化。 |
申请公布号 |
CN101681386A |
申请公布日期 |
2010.03.24 |
申请号 |
CN200880014235.9 |
申请日期 |
2008.01.17 |
申请人 |
新思科技有限公司 |
发明人 |
V·莫罗兹;D·普拉玛尼克 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 |
代理人 |
王茂华;唐文静 |
主权项 |
1.一种用于估计集成电路布图中由于布图引起的阈值电压的变化的自动化方法,包括步骤:选择供分析的布图内的扩散区域;识别所选择的区域上的Si/STI边;识别沟道区域和它们的关联的栅极/Si边;确定每个识别的沟道区域中的阈值电压变化,其包括步骤:计算由于纵向上的影响造成的阈值电压变化;计算由于横向上的影响造成的阈值电压变化;合并所述纵向变化和横向变化以提供整个变化;以及通过合并各个沟道变化来确定总变化。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |