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APERFEIÇOAMENTO EM TRANSISTOR. Onde as interfaces de fonte/dreno e o filme de silício serem compostas de duas partes planares que formam um ângulo entre si na faixa de O e 180 graus, configurando meios para aumentar o campo lateral decorrente da polarização entre dreno e fonte e, conseqúentemente, meios para aumentar a corrente de dreno, quando comparado às estruturas convencionais atualmente utilizadas, considerando uma mesma razão de aspecto (W/L), sob as mesmas condições de polarização e utilizando uma mesma tecnologia.
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