摘要 |
<p>Es wird eine Rückkontaktsolarzelle vorgeschlagen, bei der in einem Halbleitersubstrat 1 entlang einer Rückseitenoberfläche Basisbereiche 7, Emitterbereiche 5, Bypassdiodenemitterbereiche 13 und Bypassdiodenbasisbereiche 11 ausgebildet sind. Die Bypassdiodenemitterbereiche und die Bypassdiodenbasisbereiche 13, 11 bilden eine in das Halbleitersubstrat 1 integrierte Bypassdiode und sind von benachbarten Emitter- bzw. Basisbereichen 5, 7 elektrisch getrennt. Emitterkontakte kontaktieren sowohl die Emitterbereiche 5 als auch die Bypassdiodenbasisbereiche 11. Basiskontakte 19 kontaktieren sowohl die Basisbereiche 7 als auch die Bypassdiodenemitterbereiche 13. Aufgrund der integrierten Bypassdiodenbereiche 9 und der entsprechenden Verschaltung mit dem Emitter- und Basiskontakten 19, 21 kann auf diese Weise eine Rückkontaktsolarzelle mit integrierter Bypassdiode in einfacher Weise hergestellt werden.</p> |