浅槽隔离结构的制作方法

摘要

本发明的浅槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层和硬掩膜层以形成一开口；在硬掩膜层的表面以及所述开口内淀积氧化层；通过刻蚀去除硬掩膜层表面的氧化层和衬底表面的部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，使所述浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，使所述浅沟槽的顶部尖角在这个过程中得以被充分圆化；在所述浅沟槽内填充绝缘介质；去除所述硬掩膜层和衬垫氧化层，形成浅槽隔离结构。采用本发明的方法可以在浅槽隔离结构顶部形成圆滑化的顶角，避免漏电流的产生。

主权项

1、一种浅槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底的表面上依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层；依次刻蚀衬垫氧化层和硬掩膜层以形成一开口；在所述硬掩膜层的表面以及所述开口内淀积氧化层；通过刻蚀去除硬掩膜层表面的氧化层和衬底表面的部分氧化层，在所述开口的两侧形成自对准侧墙；以所述自对准侧墙为掩蔽，在衬底中刻蚀出浅沟槽；去除所述自对准侧墙，使所述浅沟槽的顶部尖角得以充分暴露；在所述浅沟槽内生成线性氧化物，使所述浅沟槽的顶部尖角在这个过程中得以被充分圆化；在所述浅沟槽内填充绝缘介质；去除所述硬掩膜层和衬垫氧化层，形成浅槽隔离结构。