| 发明名称 | 用于在基体上形成膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于在基体上形成膜的方法，所述方法包括：在加热室中加热固体有机硅烷源，以形成气态前体；将所述气态前体转移到沉积室中；并且使用能量源使所述气态前体反应，以在所述基体上形成所述膜。所述膜包含Si和C，并且任选地包含其它元素，比如N、O、F、B、P，或它们的组合。 | ||
| 申请公布号 | CN101675180A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200880006130.9 | 申请日期 | 2008.02.27 |
| 申请人 | 斯克司聪先进材料公司 | 发明人 | 约瑟夫·阿维得;塞巴斯蒂安·艾伦;迈克尔·戴维斯;亚历山大·戈蒙德;麦阿里·艾尔哈克尼;赖得·史密瑞尼 |
| 分类号 | C23C16/513(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C23C16/452(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/513(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王 旭 |
| 主权项 | 1.一种用于在基体上形成膜的方法，所述方法包括：在加热室中加热固体有机硅烷源，以形成气态前体；将所述气态前体转移到容纳有所述基体的沉积室中；并且使用能量源使所述气态前体反应，以在所述基体上形成所述膜。 | ||
| 地址 | 加拿大魁北克省 | ||