| 发明名称 | 膜体声学谐振器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及膜体声学谐振器及其制造方法。该膜体声学谐振器包括：形成在基板的主表面上的压电薄膜；以及被布置为夹着所述压电薄膜的下电极和上电极。在该膜体声学谐振器中，所述压电薄膜由氮化铝制成，并且所述上电极和所述下电极中的至少一个由钌或者包含钌为主要成分的钌合金制成，所述下电极直接暴露于形成在所述下电极下方的空腔。 | ||
| 申请公布号 | CN100594674C | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200410057295.2 | 申请日期 | 2004.08.27 |
| 申请人 | 富士通媒体部品株式会社;富士通株式会社 | 发明人 | 横山刚;坂下武;西原时弘;宫下勉;佐藤良夫 |
| 分类号 | H03H9/17(2006.01)I;H03H3/04(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/17(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 辉 |
| 主权项 | 1、一种膜体声学谐振器，其包括：形成在一基板的第一表面上的一压电薄膜；以及一下电极和一上电极，它们被布置为夹着所述压电薄膜，所述压电薄膜由氮化铝制成，并且所述上电极和所述下电极中的至少一个由钌或者包含钌为主要成分的钌合金制成，所述下电极直接暴露于形成在所述下电极下方的空腔。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||