| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，其中消除了由于周边电路元件区域中的补偿电容元件所造成的信号延迟。半导体器件包括：第一区域，包括存储器单元；第二区域(10)，包括功能电路；单元电容器，被形成在第一区域中；以及补偿电容元件(36)至(38)，被形成在第二区域中，其中补偿电容元件(36)至(38)中的每个包括下电极(36)、电容绝缘膜(37)以及上电极(38)，所述下电极(36)、所述电容绝缘膜(37)以及所述上电极(38)与单元电容器的下电极、电容绝缘膜以及上电极相同，并且其中补偿电容元件被形成在将功能电路中的晶体管的漏极扩散层(44)、(46)或栅电极(32)的上层部分排除的第二区域(10)的上层之上。 | ||
| 申请公布号 | CN101673745A | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200910170717.X | 申请日期 | 2009.09.09 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 水岛宏明 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;安 翔 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：第一区域，其包括存储器单元；第二区域，其包括功能电路；单元电容器，其形成在所述第一区域中；以及补偿电容元件，其形成在所述第二区域中，其中所述补偿电容元件包括下电极、电容绝缘膜以及上电极，所述下电极、所述电容绝缘膜以及所述上电极与所述单元电容器的下电极、电容绝缘膜以及上电极相同，以及其中所述补偿电容元件被形成在将所述功能电路中的晶体管的漏极扩散层或栅电极的上层部分排除的所述第二区域的上层之上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||