| 发明名称 | 防止电磁波零部件及使用防止电磁波零部件的电子设备 | ||
| 摘要 | 防止电磁波零部件18，具有附设该防止电磁波零部件18的电子设备10的发送频带频率的磁导率的实数分量μ′为10以上、tanδ(＝μ″/μ′)为0.1以下、而且强磁性共振频率为所述发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜。具有这样的高频高磁导率磁性膜的防止电磁波零部件18，配置在具有电磁波发送功能的电子设备10中，使得有选择地降低从天线16等电磁波发送单元发射的电磁波对于不需要的方向的电磁场强度。 | ||
| 申请公布号 | CN100594766C | 申请公布日期 | 2010.03.17 |
| 申请号 | CN200680013440.4 | 申请日期 | 2006.04.19 |
| 申请人 | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 | 发明人 | 井上哲夫 |
| 分类号 | H05K9/00(2006.01)I;H01F1/00(2006.01)I;H01F10/14(2006.01)I;H01Q1/52(2006.01)I | 主分类号 | H05K9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张 鑫 |
| 主权项 | 1.一种防止电磁波零部件，附设于具有电磁波发送功能的电子设备，其特征在于，在设所述电子设备的发送频带频率的复数磁导率μ的实数分量为μ′、虚数分量为μ″时，具有μ′为10以上、μ″/μ′为0.1以下、而且强磁性共振频率为所述发送频带频率的1.5倍以上的高频高磁导率磁性膜，所述高频高磁导率磁性膜具有用下式表示的组成，通式：(TxA100-x)100-yDy式中，T表示从Fe、Co及Ni中选择的至少一种，A表示从B、C、Si、P、Ge及Zr中选择的至少一种，D表示从Si、Al、Zr及Hf中选择的至少一种的元素M1的氧化物、或者从Si及Al中选择的至少一种的元素M2的氮化物构成的晶间物质，x及y是满足50≤x≤100(原子％)、0≤y＜50(原子％)的数。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||