| 发明名称 | 场发射阴极的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种场发射阴极的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底表面形成一导电薄膜层；在导电薄膜层上形成一含碳的催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以雷射光束聚焦照射基底从而生长奈米碳管阵列，形成场发射阴极。 | ||
| 申请公布号 | TWI321806 | 申请公布日期 | 2010.03.11 |
| 申请号 | TW095149798 | 申请日期 | 2006.12.29 |
| 申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 陈卓;罗春香;姜开利;范守善 |
| 分类号 | H01J9/02;H01J63/02 | 主分类号 | H01J9/02 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种场发射阴极的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在上述基底表面形成一导电薄膜层；在导电薄膜层上形成一含碳的催化剂层；通入碳源气与载气的混合气体流经上述催化剂层表面；以及以雷射光束聚焦照射基底从而生长奈米碳管阵列，形成场发射阴极。 | ||
| 地址 | 台北县土城市自由街2号 | ||