Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren für deren Herstellung

摘要

Gegenstand der Erfindung ist eine Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, die mit Stickstoff dotiert ist. Die Halbleiterscheibe weist ein OSF-Gebiet und ein Pv-Gebiet auf, wobei sich das OSF-Gebiet vom Zentrum der Halbleiterscheibe in Richtung zum Rand der Halbleiterscheibe hin bis zum Pv-Gebiet erstreckt; die Halbleiterscheibe besitzt eine OSF-Dichte von weniger als 10 cm-2, eine BMD-Dichte im Inneren von mindestens 3,5 x 108 cm-3 und eine radiale Verteilung der BMD-Dichte mit einer durch den Quotienten BMDmax/BMDmin ausgedrückten Schwankungsbreite von nicht mehr als 3, wobei BMDmax und BMDmin die größte, beziehungsweise die kleinste BMD-Dichte repräsentieren. Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Herstellung solcher Halbleiterscheiben.