发明名称 |
使用具有自旋相依传递特性电晶体之可再架构的逻辑电路 |
摘要 |
一种非挥发性可再架构逻辑电路。使用自旋MOSFET之CMOS结构的可再架构逻辑电路。依据自旋MOSFET之Tr1、Tr2、Tr5、Tr8之磁化状态,使各个电晶体的传递特性改变,可以达到所有AND/OR/XOR/NAND/NOR/XNOR/“1”/“0”的双输入对称函数可是成为可再架构。因为可以非挥发性且少元件数来架构出逻辑功能,故晶片面积可以缩小,且可以期待高速且低耗电操作。 |
申请公布号 |
TWI321903 |
申请公布日期 |
2010.03.11 |
申请号 |
TW093108244 |
申请日期 |
2004.03.26 |
申请人 |
独立行政法人科学技术振兴机构 |
发明人 |
菅原聪;松野知紘;田中雅明 |
分类号 |
H03K19/20 |
主分类号 |
H03K19/20 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;萧锡清 |
主权项 |
一种具有自旋电晶体之电路,该自旋电晶体具有与一传导载子之自旋的方向相关的传递特性,该具有自旋电晶体之电路的特征在于:藉由改变该传导载子之自旋的方向,改变该自旋电晶体之传递特性,使工作点改变,重新架构该电路之功能,其中以产生该工作点之一第一端子做为输出,该具有自旋电晶体之电路更包括:一第一电路群,用以对该第一端子充电;以及一第二电路群,用以对该第一端子放电,其中该第一电路群与该第二电路群的其中之一或者两者包含该自旋电晶体。 |
地址 |
日本 |