| 摘要 |
1. Мощный высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором с интегрированным в одном корпусе или кристаллодержателе антипараллельно включенным коллектор-эмиттер быстродействующим диодом, содержащим корпус или кристаллодержатель, кристалл биполярного транзистора с изолированным затвором, кристалл обратновключенного быстродействующего высоковольтного диода, электрические межсоединения, отличающийся тем, что взамен кристалла высоковольтного карбид-кремниевого диода Шоттки используется кристалл быстровосстанавливающегося высоковольтного арсенид-галлиевого p-i-n диода. ! 2. Мощный высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором с интегрированным в одном корпусе или кристаллодержателе антипараллельно включенным коллектор-эмиттер быстродействующим диодом по п.1, отличающийся тем, что кристалл используемого быстровосстанавливающегося высоковольтного арсенид-галлиевого p-i-n диода может иметь отрицательный или положительный коэффициент зависимости прямой вольт-амперной характеристики от температуры. |
