| 发明名称 | 具有刻蚀终止层的微机电系统(MEMS)器件 | ||
| 摘要 | 本发明说明了一种由已形成电路的衬底支撑的MEMS器件。该MEMS器件包括至少一个和电路相连的电极和至少一个由电极控制的可动单元。该MEMS器件进一步包括一层电极和电路上方基于半导体材料的保形保护层。在一个优选实施例中，该MEMS器件为微镜，半导体材料为包括Si、SiC、Ge、SiGe、SiNi和SiW的一组材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101669192A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200880012714.7 | 申请日期 | 2008.05.12 |
| 申请人 | 石井房雄 | 发明人 | 石井房雄 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人 | 孙 刚 |
| 主权项 | 1.一种MEMS器件，包括：一个衬底；上述衬底上的一个电路；至少一个与上述电路相连的电极；至少一个由上述电极控制的机械可动单元；一层上述电极和上述电路之间的平面保护层；其中上述保护层至少有一个穿通-孔，其中充满实现上述电极和上述电路电互连的通孔。 | ||
| 地址 | 美国加州 | ||