| 发明名称 | 光检测装置和具备它的显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供能够抑制光电二极管间的输出特性的偏差的光检测装置和具备它的显示装置。使用具有有源矩阵基板(20)的显示装置，该有源矩阵基板(20)具有：光透过性的基底基板(2)、多个有源元件和光检测装置。光检测装置具有设置在基底基板(2)的一个主面上的遮光膜(3)、配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)和配置在遮光膜(3)的上层的光电二极管(1)周边的电极(12)。光电二极管(1)具有硅膜(11)，硅膜(11)相对于遮光膜(3)电绝缘。电极(12)相对于遮光膜(3)和硅膜(11)电绝缘。遮光膜(3)被形成为，在基底基板(2)的厚度方向上，其一部分与整个硅膜(11)重叠，这一部分以外的部分与电极(12)重叠。 | ||
| 申请公布号 | CN101669217A | 申请公布日期 | 2010.03.10 |
| 申请号 | CN200880013954.9 | 申请日期 | 2008.06.12 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | C·布朗;加藤浩巳 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/00(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种光检测装置，其特征在于：其包括光透过性的基底基板、设置在所述基底基板的一个主面上的金属膜、配置在所述金属膜的上层的光电二极管、和配置在所述金属膜的上层的所述光电二极管周边的电极，所述光电二极管具备具有半导体区域的硅膜，所述硅膜相对于所述金属膜电绝缘，所述电极相对于所述金属膜和所述硅膜电绝缘，所述金属膜形成为，在所述基底基板的厚度方向上，其一部分与所述硅膜重叠，所述一部分以外的部分与所述电极重叠。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||